MOSFET发热异常,排查原因来优化设备运行

20-11-21

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MOSFET发热异常,排查原因来优化设备运行

在电路设计的时候常常会发生MOSFET发热的情况,而MOSFET发热说明了它正在错误运行。为了避免MOSFET发热危害到整体设备的运行,所以在再次运行之前需要先排查出MOSFET发热的原因。MOSFET发热无非是这几种情况,接下来为大家分享一下。
一、电路设计
让MOSFET工作在线性的工作状态,而不是在开关状态。如果N-MOS做开关,G级电压要比电源高几V,才能完全导通,P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗,等效直流阻抗比较大,压降增大,所以U*I也增大,损耗就意味着发热。
二、工作频率
这是在调试过程中比较常见的现象,降频主要由两个方面导致。输入电压和负载电压的比例小、系统干扰大。对于前者,注意不要将负载电压设置的太高,虽然负载电压高,效率会高点。对于后者,可以尝试以下几个方面:
1、将电流设置的再小点
2、布线干净点,特别是sense这个关键路径
3、将电感选择的小点或者选用闭合磁路的电感
4、加RC低通滤波吧,这个影响有点不好,C的一致性不好,偏差有点大,不过对于照明来说应该够了。无论如何降频没有好处,只有坏处,所以一定要解决。
有些时候,MOSFET频率太高,主要是有时过分追求体积,导致频率提高,MOSFET上的损耗增大了,所以发热也加大。
三、散热设计
电路板没有做好足够的散热设计,电流太高,MOSFET标称的电流值,一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于电流,也可能发热严重,需要足够的辅助散热片。
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